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  • Model：BSH108
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB 07NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WK2
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current1.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • Very low threshold voltage VDS = 20 V • Fast switching • Logic level compatible ID = 1.05 A • Subminiature surface mount package
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技术。产品可用性： 特点符号快速参考数据 •非常低阈值电压VDS= 20 V •快速开关 •逻辑电平兼容ID=1.05 •超小型表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BSH108
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