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Inventory:2700 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：CPH6602
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FM
  • Package：SOT-163/SOT23-6/CPH6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		180mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 0.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		900mW/0.9W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive. • Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特点 •低导通电阻。 •超高速开关。 •2.5V驱动。 •复合型2包含在一个单一的包装，促进高密度安装的MOSFET。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
CPH6602
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