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  • Model：BFT46
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：M3W
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		25v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.2~1.5ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose amplifiers in thick and thin-film circuits.
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管说明 对称n沟道硅 外延结型场效应 晶体管在一个超小型的塑料 信封。晶体管的目的 低级别通用 放大器厚薄膜 电路。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFT46
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