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  • Model：PMBF4393
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 11+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：W6G
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		40v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -40v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		5~30ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.5~-3v
耗散功率Pd
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film circuits. The transistors are intended for low-power chopper or switching applications in industry.
描述与应用•N沟道 说明 对称硅n沟道 耗尽型结型场效应 塑料超小型晶体管 信封用于应用 厚薄膜电路。该 晶体管用于低功耗 斩波器或开关应用 业。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMBF4393
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