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Inventory:36000 Min Order：10
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  • Model：BB502MBS-TL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BS
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage  
最大漏极电流Id Drain Current 20MA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance  
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage  
耗散功率Pd Power Dissipation 150MW/0/15W
Description & Applications * Built in Biasing Circuit MOS FET IC . * UHF RF Amplifier. * Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. * ow noise; NF = 1.6 dB typ. at f = 900 MHz * High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MHz * Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.
描述与应用 * 内置偏置电路MOS FET的IC。 * UHF射频放大器。 * 内置偏置电路降低零部件的成本与PC板空间。 * 低噪音; NF= 1.6 dB（典型值）。在f =900 MHz的 * 高增益PG= 22分贝典型。在f =900 MHz的 * 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BB502MBS-TL
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