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Inventory:30000 Min Order：10
Parameters
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  • Model：TPC6106
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：13+ROHS 13+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：S3F
  • Package：SOT-163/SOT23-6/VS-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-40V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3.9A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		75mΩ@ VGS = -10V, ID = -1.9A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.85~-2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 58 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −40 V) • Enhancement model: Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOS II） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •由于占地面积小，小而薄的包装 •低漏源导通电阻RDS（ON）=58mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|= 5.5 S（典型值） •低漏电流IDSS= -10μA（最大）（VDS=-40 V） •增强型号：Vth= -0.8到-2.0 V （VDS= -10 V，ID=-1毫安）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TPC6106
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