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Inventory:150 Min Order：10
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  • Model：SGM2014AM
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DA
  • Package：SOT-143/M-254

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		12V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-5V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		8mA-28mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsGaAs N-channel Dual Gate MES FET Description The SGM2014AM is an N-channel dual gate GaAs MES FET for UHF band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers. UHF band amplifier,mixer and oscillator Low voltage operation Low noise High gain Low cross-modulation High stability Built gate-protection diode
描述与应用砷化镓N沟道双栅MES FET 描述 在该SGM2014AM是一个N沟道双栅砷化镓 MES 场效应管为UHF频段的低噪声放大。这FET是一个适用于广泛的应用，包括电视调谐器，移动设备和DBS中频放大器。 超高频频段的放大器，混频器和振荡器 低电压操作 低噪音 高增益 低交叉调制 高稳定性 内置栅极保护二极管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SGM2014AM
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