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  • Model：SSM6N09FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DJ
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		400mA/0.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		700mΩ@ VGS = 10V, ID = 200mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1.1~1.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications • Small package • Low Drain-Source ON resistance. : Ron = 0.7 Ω (max) (@VGS = 10 V) : Ron = 1.2 Ω (max) (@VGS = 4 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 •小型封装 •低漏源导通电阻。 ：RON =0.7Ω（最大值）（@ VGS= 10 V） RON=1.2Ω（最大）（@ VGS=4 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N09FU
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