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Inventory:5000 Min Order：10
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  • Model：ME2306D-G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ 11+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WF
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.16A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance37mΩ/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation750mW/0.75W
Description & ApplicationsRDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V RDS(ON)≦135mΩ@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
描述与应用超高密度电池设计极低的RD（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ME2306D-G
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