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Inventory:66900 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：BST84
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KN
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance6Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor • Direct interface to C-MOS, TTL,etc. • High-speed switching • No second breakdown
描述与应用N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管 •直接连接到C-MOS，TTL等 •高速开关 •无二次击穿

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BST84
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