集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −250V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −250V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 60MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −800mV/-0.8V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP Silicon High-Voltage Transistor FEATURES • Low current (max. 50 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. |
| 描述与应用 | PNP硅高压晶体管 特点 •低电流（最大50毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •专业的电话和通信设备 |