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Inventory:471100 Min Order：10
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  • Model：TPCF8303
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+rohs 08NOPB
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F5C
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		58mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1500mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45~-1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		530mW/0.53W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 58 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −20 V) • Enhancement-model: Vth = −0.45 to −1.2 V (VDS = −10 V, ID = −200 μA)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（U-MOS四） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDS（ON）=58mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|= 6.0 S（典型值） •低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） •增强模式：Vth =-0.45至-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TPCF8303
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