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Inventory:12000 Min Order：10
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  • Model：2N7002-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：72
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance7.5Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2.5 ohm Low Threshold: 2.1 V Low Input Capacitance: 22 pF Fast Switching Speed: 7 ns Low Input and Output Leakage
描述与应用N沟道60-V（D-S）的MOSFET 特性 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 低导通电阻2.5欧姆 低阈值：2.1 V 低输入电容：22 pF 开关速度快：7 NS 低输入和输出泄漏

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002-T1
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