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Inventory:3000 Min Order：10
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  • Model：BFP181TRW-GS08
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+ROHS 07NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WS
  • Package：SOT-343

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		10V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		20mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		8Ghz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		50~150
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		400mV/0.4V
耗散功率Pc
Power Dissipation		160mW/0.16W
Description & ApplicationsNPN Silicon Planar RF Transistor Features • Low noise figure • High power gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications For low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA.
描述与应用NPN硅平面RF晶体管 特点 •低噪声系数 •高功率增益 •铅（Pb）免费组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC 应用 对于低噪声和高增益宽带放大器 集电极电流从0.5 mA到12 mA。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFP181TRW-GS08
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