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  • Model：2SK0663GQL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3NQ
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		55v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -55v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		1~12ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification For switching •Low noise-figure (NF) •High gate to drain voltage VGDO •Low noise-figure (NF) •High gate to drain voltage VGDO
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大切换 •低噪声系数（NF） •高栅漏电压VGDO •低噪声系数（NF） •高栅漏电压VGDO

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK0663GQL
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