集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 180V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 300mA/0.3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100~300MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 80~250 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | • NPN high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. |
| 描述与应用 | •NPN高压晶体管 特点 •低电流（最大300毫安） •高电压（最大160 V）。 应用 •通用开关和放大 •专门用于电话应用。 |