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Inventory:168953 Min Order：10
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  • Model：SI7212DN-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+nopb 10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：7212
  • Package：1212-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		4.9A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		39mΩ@ VGS =4.5V, ID =6.6A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.3W
Description & ApplicationsDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • 100 % Rg Tested • Space Savings Optimized for Fast Switching • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectification • Intermediate Driver
描述与应用双N沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点  •无卤素根据IEC 61249-2-21定义  •100％的Rg测试  •节省空间优化快速切换  •符合RoHS指令2002/95/EC 应用  •同步整流  •中间驱动程序

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI7212DN-T1-GE3
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