集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 150MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 900 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~500mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN BISS transistor FEATURES • High current (max. 1 A) • Low collector-emitter saturation voltage ensures reduced power consumption. APPLICATIONS • Battery powered units where high current and low power consumption are important. DESCRIPTION NPN BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 | NPN BISS晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低集电极 - 发射极饱和电压确保 降低功耗。 应用 •电池供电的设备，如高电流和低功耗 消耗是重要的。 说明 NPN突破性小信号（BISS）晶体管的 SOT23塑料包装。 |