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  • Model：SSM6K403TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：1121+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KND
  • Package：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current4.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance28mΩ@ VGS = 4.0V, ID = 3A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.35~1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS MOS ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • 1.5V drive • Low ON-resistance:Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V) Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS MOS ○电源管理开关应用 ○高速开关应用 •1.5V驱动 •低导通电阻：RON =66mΩ（最大）（@ VGS=1.5V） RON =43MΩ（最大）（@ VGS=1.8V） RON =32MΩ（最大）（@ VGS= 2.5V） RON =28mΩ（最大值）（@ VGS=4.0V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6K403TU
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