集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
12V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
15mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
90mW |
| Description & Applications |
Features •SANYO Semiconductors •NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor •Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications • Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ. (VCE=1V, IC=1mA) :⏐S21e⏐2=7dB typ (f=1GHz). : NF=2.6dB typ (f=1GHz). |
| 描述与应用 |
特点 •三洋半导体 •NPN平面外延硅晶体管 •低电压，低电流的高频放大器的应用 •低电压，低电流操作：FT =5GHz的典型。 （VCE=1V，IC=1毫安）：⏐S21E⏐2=7分贝典型值（F =1GHz的）。 ：NF=2.6分贝典型值（F=1GHz的）。 |