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Inventory:225000 Min Order：10
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  • Model：SI8413DB-T1-E1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：8413
  • Package：2X2 4-MFP

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-6.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.0393Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6V-1.4V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.77W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • MICRO FOOT Chipscale Packaging Reduces Footprint Area Profile (0.62 mm) and On-Resistance Per Footprint Area
描述与应用芯片级封装 减少占位面积简介（0.62毫米） 每占位面积导通电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI8413DB-T1-E1
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