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Inventory:1200 Min Order：10
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  • Model：DMN601TK
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：7K
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 300MA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3 Ω VGS = 5V, ID = 0.05A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0v~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150MW/0.15W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR. * Low On-Resistance: RDS(ON). * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed. * Low Input/Output Leakage. * Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2). * ESD Protected Up To 2kV.
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管。 *低导通电阻RDS（ON）。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *无铅设计. *高达2kV的ESD保护。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
DMN601TK
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