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Inventory:131300 Min Order：10
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  • Model：SSM6K411TU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KNH
  • Package：SOT-363/UF6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current10A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance12mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 7A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • 2.5-V drive • Low ON-resistance：RDS(ON) = 23.8 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 14.3 mΩ (max) (@VGS = 3.5 V) RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ○电源管理开关应用 ○高速开关应用 •2.5-V驱动器 •低导通电阻RDS（ON）=23.8MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） RDS（ON）= 14.3MΩ（最大）（@ VGS=3.5 V） RDS（ON）= 12MΩ（最大）（@ VGS=4.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6K411TU
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