Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI2305ADS-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+rohs 10+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5AA
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.032Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V-0.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.7W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested
描述与应用 Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2305ADS-T1-GE3
*Title：
Message：
*Code：