集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
400V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.4~1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type. High Voltage Switching Applications. *High breakdown voltage : VCEO = 400 V. * Low collector-emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型。 高电压开关应用。 *高击穿电压：VCEO=400 V *低集电极 - 发射极饱和电压 ：VCE（星期六）= 0.4V（典型值）（IC= 20 mA时，IB=0.5毫安）。 |