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Inventory:140000 Min Order：10
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  • Model：SSM6P36FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PX
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-330mA/-0.33A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		1.31Ω@ VGS = -4.5V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.3~-1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ Power Management Switches • 1.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○电源管理开关 •1.5-V驱动器 •低导通电阻：R ON= 3.60Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V） RON= 2.70Ω（最大）（@ VGS=-1.8 V） RON= 1.60Ω（最大）（@ VGS=-2.8 V） RON= 1.31Ω（最大）（@ VGS=-4.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6P36FE
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