最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | 20V/-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | 10V/8V |
最大漏极电流Id
Drain Current | 500mA/-330mA |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance | 630mΩ@ VGS = 5.0V, ID = 200mA/ 1310mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -100mA |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | 0.35~1.0V/-0.3~1.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V) • Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V) |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N / P沟道MOS型 ○高速开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻Q1 N沟道：RON=1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） RON =1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） RON =0.85Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RON =0.66Ω（最大值）（@ VGS=4.5 V） RON =0.63Ω（最大）（@ VGS= 5.0 V） •P沟道：RON =3.60Ω（最大）（@ VGS=-1.5 V） RON =2.70Ω（最大值）（@ VGS=-1.8 V） RON =1.60Ω（最大值）（@ VGS=-2.8 V） RON =1.31Ω（最大值）（@ VGS= -4.5 V） |