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Inventory:2500 Min Order：10
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  • Model：SSM6L36FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LL4
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V/8V
最大漏极电流Id
Drain Current		500mA/-330mA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		630mΩ@ VGS = 5.0V, ID = 200mA/ 1310mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.35~1.0V/-0.3~1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V) • Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N / P沟道MOS型 ○高速开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻Q1 N沟道：RON=1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） RON =1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） RON =0.85Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RON =0.66Ω（最大值）（@ VGS=4.5 V） RON =0.63Ω（最大）（@ VGS= 5.0 V） •P沟道：RON =3.60Ω（最大）（@ VGS=-1.5 V） RON =2.70Ω（最大值）（@ VGS=-1.8 V） RON =1.60Ω（最大值）（@ VGS=-2.8 V） RON =1.31Ω（最大值）（@ VGS= -4.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6L36FE
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