集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
400mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80~130mHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~600 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
15~30mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications. For Muting and Switching Applications. *Low collector saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.). *@IC = 10 mA/IB = 0.5 mA. * High collector current: IC = 400 mA (max). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。 音频放大器应用的目的。 对于静音和开关应用。 *低集电极饱和电压VCE（SAT）（1）=15毫伏（典型值）。 *@ IC= 10毫安/ IB=0.5毫安。 *高集电极电流IC= 400 mA（最大）。 |