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Inventory:35800 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1413EDH
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BAD
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.9A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.095Ω @-2.9A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.56W
Description & ApplicationsTrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated ESD Protected: 3000 V Thermally Enhanced SC-70 Package
描述与应用功率MOSFET：1.8 V额定 ESD保护：3000 V 耐热增强型SC-70封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1413EDH
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