Please log in first
Home
Cart0
Inventory:803000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI7123DN-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+rohs 11NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：7123
  • Package：1212-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-16A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.0086Ω @-5.2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4V-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		3.8W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated • Ultra-Low On-Resistance • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 •根据IEC 61249-2-21的无卤素 定义 •的TrenchFET 功率MOSFET：1.5 V额定 •超低导通电阻 •100％的Rg 测试 •符合RoHS指令2002/95/EC

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI7123DN-T1-GE3
*Title：
Message：
*Code：