集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
32V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
380~630 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.12V~0.55V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
330MW/0.33W |
| Description & Applications |
* NPN Silicon AF Transistors. * For AF input stages and driver applications. * High current gain. * Low collector-emitter saturation voltage. * Low noise between 30 Hz and 15 kHz. |
| 描述与应用 |
* NPN硅晶体管自动对焦。 * 对于AF输入级和驱动器应用。 * 高电流增益。 * 低集电极 - 发射极饱和电压。 * 30 Hz和15千赫之间的低噪音。 |