集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
80mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
7GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type. VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications. *Low noise figure, high gain. * NF = 1.1dB, |S21e|2 = 13dB (f = 1 GHz). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延平面型。 VHF〜UHF频段低噪声放大器应用。 *低噪声系数，高增益。 *NF=1.1分贝，S21E|2=13分贝（F =1 GHz的）。 |