集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
500V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
8~20 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
NPN Silicon Triple Diffused. *Features. *Excellent Switching Times. *tr=1.0us (Max.) tf=1.0us (Max.) at IC=0.8A. *High colletor Breakdown Voltage: VCEO=400V. |
描述与应用 |
NPN硅三重扩散。 *特点。 *出色的开关时间。 * TR =1.0us(最大)TF =1.0us(最大)在IC=0.8A。 *的高colletor击穿电压:VCEO= 400V。 |