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Inventory:12000 Min Order：10
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  • Model：2SK3669
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K3669
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 10A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.095Ω/Ohm @5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 3~5V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS VII) Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Features Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 95 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 100 V) Enhancement-mode : Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（π-MOS七的） 开关稳压器，音频放大器和电机驱动应用 特性 开关稳压器，音频放大器和电机 驱动应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 95mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=6 S（典型值） 低漏电流：IDSS= 100μA（最大值）（VDS= 100 V） 增强模式：VTH =3.0到5.0 V（VDS=10 V，ID= 1mA）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3669
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