集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
160V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~450 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.3~0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
10W |
Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process). Power Amplifier Applications. Power Switching Applications. Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)(IC = 1A). High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ). |
描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN外延型(PCT工艺)。 功率放大器应用。 电源开关应用。 低集电极饱和电压VCE(星期六)=0.5 V(最大值)(IC=1A)。 高速开关:TSTG=0.4微秒(典型值)。 |