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  • Model：2SC6076
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 12+ROHS
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C6076
  • Package：TO-252

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 160V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 80V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 150MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 100~450
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 0.3~0.5V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 10W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process). Power Amplifier Applications. Power Switching Applications. Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A）. High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ).
描述与应用 TOSHIBA晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）。 功率放大器应用。 电源开关应用。 低集电极饱和电压VCE（星期六）=0.5 V（最大值）（IC=1A）。 高速开关：TSTG=0.4微秒（典型值）。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC6076
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