集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
−50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
−100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
125~250 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP Silicon AF Transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管自动对焦 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。 |