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Inventory:6500 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：DMN55DOUT-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NAC
  • Package：SOT-523

Vds Drain-Source Voltage 50V
Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
Id Drain Current 160MA
Rds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
VGS = 4V, ID = 100mA RDS=3.1~4Ω
VGS = 2.5V, ID = 80mA RDS=4~5Ω
Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.7~1v
Pd Power Dissipation 0.2w
Description & Applications
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 
 
Low On-Resistance 
• Very Low Gate Threshold Voltage 
• Low Input Capacitance 
• ESD Protected Gate to 2kV 
 

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
DMN55DOUT-7
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