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Inventory:500 Min Order：1
Parameters
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Parameters：

  • Model：HB2301W
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：
  • Standard Package：0
  • Min Order：1
  • Mark/silk print/code/type：JJ1
  • Package：SOT-323F

Drain-Source Voltage （Vds）  20V

Vgs (±)

Gate-Source Voltage 

  8V
Drain Current （Id）  1.8A
Drain-Source On-State （Rds）  Ron = 363mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) 
 Ron = 230mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) 
Ron = 158mΩ (max) (@VGS = −4.0 V) 
 
Gate-Source Threshold Voltage （th）    
Power dissipation （Pd）  500MW/0.5W
Description & Applications  Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 
High Speed Switching Applications 
• 1.8V drive 
• Low on-resistance: 

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Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HB2301W
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