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Inventory:24000 Min Order：10
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  • Model：TTK101MFV-B
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+rohs 12+ROHS
  • Standard Package：8000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：12
  • Package：SOT-723/VESM

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 -20V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		  
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		  
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.1V~-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 150mW
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type . * For ECM . * Application for compact ECM . * thin package:0.5mm . *low capacitance: Ciss = 1.8 pF (typ.) @VDS = 2 V, VGS = 0, f = 1MHzLow noise: VN = 15 mV (typ.) @VDD=2 V, RK=1kΩ, Cg=10pF, Gv=80dB, A-Cuve Filter.
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道结型。 *对于ECM。 申请ECM紧凑。 *薄型封装：0.5MM。 *低电容：西斯=1.8 pF的（典型值）@ VDS=2 V，VGS=0，F =1MHzLow VN= 15毫伏（典型值）噪声： ??@ VDD= 2 V，RK=1KΩ，CG =10PF，GV =80分贝，过滤A-CUVE。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TTK101MFV-B
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