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Inventory:12000 Min Order：1
Parameters
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Parameters：

  • Model：CES2324
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：1
  • Mark/silk print/code/type：248R
  • Package：SOT-23/SC-59

Drain-Source Voltage （Vds）  20V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  12V
Drain Current （Id）  4.2A
Drain-Source On-State （Rds）  RDS(ON)= 45mΩ @VGS = 4.5V.
 RDS(ON)= 80mΩ @VGS = 2.5V.

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  0.5V~1.5V
Power dissipation （Pd）  1.25W
Description & Applications  N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
Rugged and reliable.

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
CES2324
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