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Inventory:6000 Min Order：10
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  • Model：2N7002
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ST2N
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 18V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.8Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET Suitable for logic level gate drive sources Very fast switching Surface-mounted package Trench MOSFET technology
描述与应用 表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 60 V，300毫安N通道沟道MOSFET 适用于逻辑电平栅极驱动源 开关速度非常快 表面贴装封装 沟道MOSFET技术

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002
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