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Inventory:34990 Min Order：10
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  • Model：2N7002VA-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+ 04+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KAY
  • Package：SOT-563

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		280mA/0.28A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		7.5Ω@ VGS = 5V,ID = 50mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1~2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant
描述与应用双N沟道增强型场效应晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻？ 低栅极阈值电压 低输入电容？ 开关速度快吗？ 低输入/输出漏？ 超小型表面贴装封装 无铅设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002VA-7
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