集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -30mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 400MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 60~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -90mV |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | High frequency amplifier PNP silicon epitaxial transistor mini mold high gain bandwidth product fT =400 MHz； low output capacitance ； low noise |
| 描述与应用 | 高频放大器 PNP硅外延晶体管 小型模具 高增益带宽乘积fT=400兆赫; 低输出电容; 低噪音 |