集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-25V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-700mA/-0.7A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
250~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
−200mV/-0.2V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
for high current drive application silicon PNP epitaxial type high collector current； high gain band width product； excellent linearity of DC forward current gain； low collector to emitter saturation voltage |
| 描述与应用 |
为高电流驱动应用 硅PNP外延型 高集电极电流; 高增益带宽产品; 卓越的线性度直流正向电流增益; 集电极到发射极饱和电压低 |