集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −100V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 120MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 140~280 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -220mV/-0.22V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs. |
| 描述与应用 | PNP/ NPN外延平面硅晶体管高压开关的应用 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·高击穿电压和大电流的能力。 ·快速开关时间。 ·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。 |