集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -25V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -8A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 140~280 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -220mV/-0.22V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL TRANSISTORS low saturation voltage； fast switching speed； large current capacity |
| 描述与应用 | 硅互补 小信号晶体管的 低饱和电压; 开关速度快; 通流容量大 |