集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −150V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −100V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 90MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 150~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 18W |
| Description & Applications | PNP silicon epitaxial transistor For high-speed switching FEATURES • Available for high-current control in small dimension • Z type is a lead processed product and is deal for mounting a hybrid IC. • Low collector saturation voltage: VCE(sat) = −0.3 V MAX. (@IC = −3 A) • Fast switching speed: tf = 0.4 µs MAX. (@IC = −3 A) • High DC current gain and excellent linearity |
| 描述与应用 | PNP硅外延晶体管 对于高速切换 特点 •可用于高电流控制在小尺寸 Z型是一种无铅的加工产品，是用于安装一处理 混合IC。 •低集电极饱和电压： VCE（sat）=-0.3 V MAX。 （@ IC=-3 A） •开关速度快： TF=0.4μs最大。 （@ IC=-3 A） •高直流电流增益和良好的线性度 |