集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -400V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 12MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 135~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -1000mV/-1V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | High-voltage Switching Transistor Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA. 4) Wide SOA (safe operating area). |
| 描述与应用 | 高压开关晶体管 特点 1）高击穿电压BVCEO= 400V。 2）低饱和电压，通常VCE（sat）的IC / IB= 0.3V=100mA/10毫安的。 3）高开关速度，通常是TF：IC=100MA1秒。 4）宽安全工作区（SOA） |