集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -15V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 1GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50~140 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -70mV |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | PNP epitaxial planar silicon transistor High speed switching applications Features fast switching speed； low collector saturation voltage； high gain-bandwidth product； small collector capacitance； complementary to 2sc4453 |
| 描述与应用 | PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 特点 开关速度快; 集电极饱和电压低; 高增益带宽积; 小型集热电容; 互补2sc4453 |