集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −30V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 350MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~560 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -210mV/-0.21V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 3.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial Transistor For DC-DC converter applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | PNP硅外延晶体管 DC-DC转换器应用 应用 继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 通过MBIT流程。 大电流容量。 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 集小型和超薄超小尺寸封装允许应用。 高允许功耗。 |